Гонка за увеличение слоев памяти NAND вышла на новый уровень. Micron на прошлой неделе анонсировала память NAND с 232 слоями, SK Hynix теперь решила объявить чипы с 238 слоями. Массовое производство намечено на вторую половину 2023 года.
По сравнению с нынешней памятью 176L NAND от SK Hynix, вариант 238L NAND с ячейками TLC даст на 34% более высокую долю выхода годных кристаллов. Здесь SK Hynix подчеркивает, что можно будет выпускать больше чипов с большей плотностью памяти. Micron смогла добиться плотности 14,6 Гбит/мм² с памятью 232L NAND, в данном случае рост производства составит 43%.
Память 238L NAND от SK Hynix тоже будет работать на 2.400 MT/s, а также более эффективно по энергопотреблению по сравнению с предшественницей. Среди прочего, будет использоваться технология Charge Trap Flash (CTF), которая подразумевает хранение заряда не в проводниках, а в изоляторах. Что позволит уменьшить взаимные наводки ячеек, улучшить производительность чтения и записи, а также уменьшить площадь ячеек по сравнению с предыдущей технологией плавающего затвора.
Кроме того, экономия площади NAND будет достигнута благодаря технологии Peri. Under Cell (PUC). Периферийные цепи чипа памяти теперь будут располагаться под массивом ячеек, а не рядом с ним.
SK Hynix планирует начать использовать 238L NAND сначала в клиентских SSD, затем в серверных SSD и в накопителях смартфонов. Изначально планируются чипы памяти на 512 Гбит, затем будут представлены на 1 Тбит.
Источник новости: www.playground.ru
