По слухам, грядущий Snapdragon 8 Gen 5 будет отличаться значительным увеличением тактовой частоты, а частота P-ядер может достигнуть 5,0 ГГц. Согласно утечкам на Weibo, такой скачок в производительности коснется только варианта, произведенного с использованием узла N3P компании TSMC.
Эффективные ядра чипа (E-ядра) также будут работать на частоте 4,0 ГГц, опережая P-ядра Snapdragon 8 Gen 4, работающие на частоте 4,32 ГГц, и E-ядра, работающие на частоте 3,53 ГГц.
Интересно, что Qualcomm планирует использовать в Snapdragon 8 Gen 5 двойное производство, как TSMC, так и Samsung Foundry.
Snapdragon 8 Gen 5 для Galaxy, который, вероятно, будет производиться на узле SF2 компании Samsung, может предложить конкурентоспособную производительность, но его точные тактовые частоты еще не подтверждены. Потенциально узел Samsung может сравняться с версией TSMC или даже превзойти ее.
Источник новости: www.ferra.ru
