Использование DUV-оборудования (глубокого ультрафиолета) значительно повлияло на прогресс крупнейшей полупроводниковой компании Китая SMIC. Несмотря на сообщения об успешном производстве 5-нм пластин, массовое производство продолжает страдать от завышенных затрат и низкого выхода годной продукции. Так что эти неудачи негативно сказываются и на Huawei, которая пока не смогла преодолеть 7-нм барьер.
Так как американские санкции запретили ASML поставлять китайским компаниям "современное" EUV-оборудование, единственный возможный путь для местных — производить собственное оборудование. Согласно последнему отчету, эти амбиции четко обозначены, а опытное производство ожидается уже в третьем квартале 2025 года.
Сообщается, что эти собственные EUV-машины используют лазерно-индуцированную разрядную плазму (LDP), что несколько отличается от лазерно-генерируемой плазмы (LPP) от ASML.
Изображения, опубликованные аккаунтами @zephyr_z9 и @Ma_WuKong в твиттере, указывают на то, что новая система тестируется на предприятии Huawei в Дунгуане. В предыдущем отчете упоминалось, что исследовательская группа из Харбинского провинциального инновационного центра разработала источник света для литографии в экстремальном ультрафиолете на основе разрядной плазмы.
Этот источник может производить EUV-излучение с длиной волны 13,5 нм, что отвечает требованиям рынка фотолитографии. В новой системе, которая в настоящее время испытывается на одном из объектов Huawei, для генерации EUV-излучения 13,5 нм используется LDP. Этот процесс включает испарение олова между электродами и преобразование его в плазму путем высоковольтного разряда, при этом электронно-ионные столкновения производят требуемую длину волны. Чем этот подход отличается от LPP от ASML?
ASML полагается на высокоэнергетические лазеры и сложные элементы управления на основе программируемых вентильных матриц. Согласно отчету об опытном производстве, прототип, тестируемый на объекте Huawei с использованием лазерно-индуцированной разрядной плазмы, имеет более простую и компактную конструкцию, потребляет меньше энергии и стоит дешевле в производстве.
Литографические системы предыдущего поколения используют длины волн 248 нм и 193 нм, что значительно уступает EUV-излучению 13,5 нм. SMIC приходилось рассчитывать на многократное наложение для получения передовых техпроцессов, что не только увеличивало стоимость производства пластин, но и было трудоемким процессом, приводящим к огромным затратам. По оценкам, 5-нм чипы SMIC будут на 50% дороже, чем у TSMC при производстве на той же литографии, что объясняет, почему технология еще не дебютировала ни в одном приложении.
Сейчас Huawei ограничена разработкой своих чипсетов Kirin по 7-нм процессу, и бывший китайский гигант ограничен внесением незначительных улучшений, чтобы сделать свои последующие SoC немного более мощными, чем их предшественники. Благодаря этой разработке Huawei может значительно сократить разрыв с такими компаниями, как Qualcomm и Apple, но время покажет.
Источник новости: shazoo.ru
