В рамках оперативной памяти стандарта DDR4 некоторые серии микросхем Samsung прославились впечатляющими частотами работы в сочетании с низкими таймингами. Похоже, скоро появятся их преемники.
Южнокорейская компания сообщила о старте массового производства новых чипов памяти DDR5. Для их выпуска задействуется техпроцесс «12-нанометрового класса», который называют «самым передовым в отрасли».
Относительно нынешних чипов говорится об увеличении энергоэффективности на 23%, а также с одной кремниевой пластины получится на 20% больше чипов. Касательно прироста быстродействия конкретных цифр нет, но упоминается, что номинальным режимом работы является скорость 7,2 Гбит/с на контакт (это DDR5-7200). Также в пресс-релизе отдельно отмечается тестирование на платформе AMD.
Источник новости: www.playground.ru
