Согласно редакционному сообщению, опубликованному в блоге Samsung Санджуном Хваном, исполнительным вице-президентом и главой группы продуктов и технологий DRAM в Samsung Electronics, у нас есть информация о том, что High-Bandwidth Memory 4 (HBM4) появится в 2025 году. В недавнем графике разработки HBM мы увидели первое появление памяти HBM в 2015 году с AMD Radeon R9 Fury X. Второе поколение HBM2 появилось с NVIDIA Tesla P100 в 2016 году, а третье поколение HBM3 увидело свет с Графическим процессором NVIDIA Hopper GH100 в 2022 году. В настоящее время Samsung разработала память HBM3E со скоростью 9,8 Гбит/с, которую вскоре начнут предлагать клиентам.
Однако на этот раз Samsung более амбициозна в отношении сроков разработки и планирует анонсировать HBM4 в 2025 году, возможно, с коммерческими продуктами в том же календарном году. Интересно, что в памяти HBM4 будут реализованы некоторые технологии, оптимизированные для высоких тепловых свойств, такие как сборка из непроводящей пленки (NCF) и гибридная медная связь (HCB). NCF — это полимерный слой, который повышает стабильность микровыступов и TSV в чипе, поэтому пластины для пайки памяти защищены от ударов. Гибридное медное соединение — это усовершенствованный метод упаковки полупроводников, который создает прямые соединения медь-медь между полупроводниковыми компонентами, что позволяет создавать трехмерную упаковку высокой плотности. Он обеспечивает высокую плотность ввода-вывода, расширенную полосу пропускания и повышенную энергоэффективность. В нем используется медный слой в качестве проводника и оксидный изолятор вместо обычных микровыступов, чтобы увеличить плотность соединения, необходимую для структур, подобных HBM.
Паровышник Валерий
Источник новости: ru.gecid.com
