Память HBM (High Bandwidth Memory) практически исчезла на потребительском рынке, но сегодня сложно представить центр обработки данных и ускорители без этого типа скоростной памяти. Разработка за последние 24 месяца шла быстрыми темпами. В этом году вышли первые ускорители с HBM3, в следующем году планируется использовать уже HBM3E. В таблице ниже приведены некоторые подробности производительности поколений HBM.
До сих пор было практически неизвестно, что будет после HBM3(E). Хотя Micron уже рассказывала о HBM Next в своих планах и упоминала емкость до 64 Гбайт и пропускную способность до 2 Тбайт/с. Но в остальном почти все покрыто мраком тайны.
В статье Санг-Джун Хванга, исполнительного вице-президента и руководителя группы продуктов и технологий DRAM компании Samsung, появилось первое упоминание HBM4.
Соответственно, появление HBM4 ожидается уже в 2025 году, хотя планы Micron, скорее, относились к 2026 году.
С технической точки зрения HBM4 продолжит нынешний путь. Для дальнейшего увеличения емкости число дополнительных слоев памяти будет расти. Будет увеличиваться и пропускная способность отдельных стеков памяти, что будет сопровождаться умеренным повышением тактовых частот. Однако частоту стеков памяти нельзя повышать в таких же пропорциях, как DRAM или GDDR. Причина в наличии множества стеков, от которых сложно отводить выделяющееся тепло.
Для HBM4 предполагается иное решение. Начиная с первого поколения HBM и заканчивая HBM3E, использовался интерфейс памяти шириной 1.024 бита. Он как раз и обеспечил огромную пропускную способность памяти. В HBM4 ширину интерфейса памяти планируется удвоить до 2.048 бит. Однако уже сейчас число физических соединений при ширине интерфейса 1.024 бит составляет почти 4000. Кроме того, необходимо обеспечить еще и стабильное питание, то есть подавать напряжение через некоторые контакты.
Поэтому при переходе HBM4 значительно возрастут требования к корпусировке. Наверняка те же Samsung и TSMC работают над соответствующими решениями.
В следующем году можно ожидать появления ускорителей с HBM3E и новых подробностей HBM4.
Источник новости: www.playground.ru
