Компания Samsung в скором времени может увеличить плотность чипов памяти DRAM и NAND до «экстремального уровня». Об этом южнокорейский гигант рассказал в преддверии мероприятия Samsung Memory Tech Day 2023. Ни для кого не секрет, что Samsung разрабатывает решения для увеличения плотности памяти и ёмкости SSD-накопителей. Ранее в этом году компания раскрыла свои долгосрочные планы по разработке твердотельных накопителей, которые потенциально могут вмещать один петабайт (1 ПБ) данных, то есть 1 024 терабайта (ТБ) или 1 048 576 гигабайтов (ГБ).
Президент подразделения продуктов и технологий DRAM компании Samsung Electronics Юнг-Бэ Ли (Jung-Bae Lee) подтвердил, что южнокорейский производитель ищет способы внедрения модулей DRAM ёмкостью до 1 ТБ. Эти модули в свою очередь приближают к реализации планов по выпуску твердотельных накопителей ёмкостью 1 ПБ. Ожидается, что Samsung продемонстрирует свои новейшие технологии 20 октября на мероприятии, которое пройдёт в Кремниевой долине (Калифорния). По словам Юнг-Бэ Ли, разрабатываемая в настоящее время 11-нм технология DRAM обеспечит самый высокий в отрасли уровень плотности памяти.
На сегодняшний день чипы DRAM с самой высокой плотностью имеют ёмкость 512 ГБ. Они были разработаны Samsung ещё в 2021 году, и сейчас компания стремится удвоить свои достижения благодаря новым технологиям упаковки чипов и меньшим размерам кристаллов. Samsung разрабатывает самый высокий уровень плотности V-NAND 9-го поколения, который может быть реализован в двухстековой структуре. Такие решения создаются для гипермасштабируемого ИИ, а что касается обычных потребителей, то у компании есть новый ударопрочный портативный SSD-накопитель T9 ёмкостью 4 ТБ.
Источник новости: trashbox.ru
