Исследователи нашли способ ускорить процесс изготовления флэш-памяти 3D NAND, которая хранит данные более плотно за счет укладки ячеек памяти. Ключ — новый метод с использованием плазмы из фтористого водорода, который позволяет вытравливать глубокие узкие отверстия, необходимые для такой памяти, в два раза быстрее.
Флэш-память 3D NAND используется в таких устройствах, как камеры, телефоны и компьютеры. Она сохраняет данные в ячейках, которые либо включены, либо выключены, а чтобы вместить больше данных в то же пространство, эти ячейки укладываются друг на друга. Отверстия, которые вырезаются в материале, очень важны для того, чтобы сделать это укладывание возможным.
Используя фтористый водород в плазме, исследователи смогли значительно увеличить скорость процесса травления (более чем в два раза)
Источник новости: www.ferra.ru
