Производитель памяти SK hynix анонсировал первую в мире 321-слойную флэш-память UFS 4.1 TLC NAND для смартфонов, сообщает портал GSMArena. По сравнению с предыдущим поколением (использовавшим 238-слойную конструкцию) 2022 года эти новые чипы хранения имеют на 15% более высокую скорость случайного чтения и на 40% более высокую скорость случайной записи. Для последовательного чтения они максимизируют интерфейс на 4,3 ГБ/с. Вдобавок ко всему, толщина пакета NAND составляет 0,85 мм, а не 1 мм. Такие небольшие отличия могут быть важными для ультратонких смартфонов вроде Samsung Galaxy S25 Edge. Кроме того, новая 321-слойная конструкция UFS 4.1 на 7% более энергоэффективна, чем предыдущее поколение.
SK hynix утверждает, что последовательная скорость чтения улучшит производительность ИИ на устройстве (поскольку ускорит загрузку модели в оперативную память), а улучшенная производительность случайных операций повысит эффективность многозадачности. Компания будет выпускать хранилища двух емкостей – 512 ГБ и 1 ТБ. Варианта на 256 ГБ не будет. SK hynix заявляет, что рассчитывает получить заказы от производителей смартфонов в этом году и начать массовые поставки в первые три месяца следующего года. Однако компания занимается не только смартфонами: она также работает над 321-слойными конструкциями твердотельных накопителей для потребителей и центров обработки данных.
Источник новости: mobile-review.com
