Технология ReRAM (Resistive Random-Access Memory — резистивная память с произвольным доступом) официально "вернулась в чат". Компания Weebit Nano, один из главных разработчиков этой технологии, заключила стратегическое соглашение о массовом производстве с крупным полупроводниковым литейным заводом. Это событие выводит ReRAM из разряда "вечно перспективных лабораторных тестов" в стадию реальной коммерческой альтернативы современной флэш-памяти.
Современная память NAND Flash, которую мы используем в SSD и смартфонах, вплотную подошла к своим физическим пределам. ReRAM предлагает принципиально другой подход к хранению данных: она меняет электрическое сопротивление диэлектрика, а не удерживает электрический заряд.
ReRAM выдерживает в десятки и сотни раз больше циклов перезаписи, чем лучшие образцы современной памяти. Это делает ее практически вечной для обычного пользователя. По задержкам она гораздо ближе к оперативной памяти (DRAM), чем к традиционным SSD. Это может стереть грань между "хранилищем" и "памятью".
Также ReRAM не боится радиации и экстремальных температур, что делает ее идеальной для космоса, медицины и автомобильной промышленности.
Источник новости: www.goha.ru
