Компания Intel в партнёрстве с дочерней структурой SoftBank, Saimemory, разрабатывает новую технологию памяти под названием Z-Angle Memory (ZAM). Проект направлен на решение дефицита высокопроизводительной памяти, вызванного бумом в области искусственного интеллекта.
ZAM использует инновационный подход к компоновке — соединения между слоями чипов располагаются по диагонали («Z-угол»), а не вертикально, как в традиционной памяти. Это позволяет эффективнее использовать площадь кристалла, повышая плотность данных и улучшая теплоотвод. Технология, вероятно, будет использовать медное гибридное соединение и бесконденсаторную архитектуру, а для подключения к процессорам ИИ задействуется разработка Intel — EMIB.
Ожидается, что по сравнению с текущим стандартом HBM память ZAM обеспечит:
Первыми ZAM могут получить собственные чипы SoftBank серии Izanagi. Успех технологии на рынке во многом будет зависеть от её поддержки ключевыми игроками, такими как NVIDIA. Для Intel это возвращение в сегмент DRAM-памяти, который компания покинула в 1985 году.
Источник новости: www.goha.ru
