Компания Micron, как утверждается, первой разработала модуль памяти RDIMM DDR5 объёмом 512 ГБ, сообщает Guru3D. Скорость работы модуля может достигать 9200 мегатранзакций в секунду. Подобные модули планируют использовать в серверных системах для искусственного интеллекта, для развёртывания баз данных в памяти и других задач, где требуется большой объём памяти с высокой пропускной способностью. Источник изображения: Michael Dziedzic, Unsplash (отредактировано) Micron использует сквозные кремниевые отверстия (Through-Silicon Via, TSV) для вертикального объединения нескольких кристаллов DRAM для более высокой плотности размещения памяти на модуле. По данным компании, энергопотребление одного модуля на 512 ГБ составляет 16 Вт — на 60% меньше, чем требуется четырём модулям по 128 ГБ. Также говорится о повышении производительности при определённых условиях. Массовое производство модулей запланировано на вторую половину 2027 года. Такие компании, как AMD и Intel, уже приступили к испытаниям образцов на своих серверных системах.
Источник новости: overclockers.ru
