По информации южнокорейского агентства Yonhap News, на следующей неделе компания Samsung Electronics должна официально объявить о начале массового производства 3-нм компонентов. По сути, на выполнение сделанных ранее обещаний у Samsung остаётся не так много времени, ведь она намеревалась начать выпуск 3-нм продукции во втором квартале, а он неумолимо подходит к концу.
Источник изображения: Yonhap News
Уже в рамках этого поколения 3-нм технологии Samsung применит структуру транзистора с окружающим затвором (GAA). В совокупности с переходом на 3-нм литографию это позволит сократить занимаемую чипом площадь на 45%, увеличить скорость переключения транзисторов на 30% и на 50% снизить энергопотребление, если сравнивать с существующими техпроцессами, использующими структуру транзисторов FinFET.
Образцы 3-нм чипов были показаны президенту США Джозефу Байдену (Joseph Biden) во время его визита в Южную Корею в прошлом месяце. Конкурирующая компания TSMC собирается начать выпуск серийной 3-нм продукции только в следующем полугодии, причём с использованием структуры транзисторов FinFET. Сейчас Samsung уже разрабатывает 2-нм технологию, которая должна быть внедрена в массовом производстве к 2025 году. Считается, что TSMC приступит к массовому выпуску 2-нм чипов ближе к 2026 году, но ей одновременно придётся внедрить и новую структуру транзисторов.
Источник новости: overclockers.ru
