Южнокорейская компания Samsung официально объявила о начале производства первой в индустрии памяти GDDR6 с пропускной способностью 24 Гбит/с. По словам корпорации, новая память создается с прицелом на следующее поколение видеокарт NVIDIA и AMD.
Память от Samsung построена на 10-нм техпроцессе третьего поколения с использованием высокотехнологичного изоляционного материала High-K Metal Gate (HKMG), который минимизирует утечку тока.
Samsung заявила, что ее решение обеспечит скорость на 30% выше по сравнению с текущей GDDR6-памятью на 18 Гбит/с. Корпорация заявила, что флагманская видеокарта с этой памятью сможет передавать до 1.1 ТБ данных или примерно 275 фильмов в Full HD за секунду.
Кроме этого, в линейке новой GDDR6-памяти будут варианты с низким энергопотреблением, например, для ноутбуков. Для этого будет использоваться технология динамического переключения напряжения (DVS).
Ожидается, что первыми картами с памятью GDDR6, поддерживающей пропускную способность в 24 Гбит/с, станут RTX 40xx и Radeon RX 7000.
Источник новости: shazoo.ru
