ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) - это ежегодная конференция, на которой представляются и обсуждаются последние достижения в области интегральных схем и систем на кристалле. В программе ISSCC 2024 года были представлены планы по разработке высокоскоростной памяти на основе спецификаций GDDR7 от Samsung и SK Hynix.
Обе компании планируют разработать память GDDR7 с высокой скоростью передачи данных. Samsung и SK Hynix намерены использовать инновационные технологии передачи сигналов PAM3 и NRZ для достижения скоростей передачи данных 37 Гбит/с и 35,4 Гбит/с соответственно.
Память GDDR7 со скоростью до 32 Гбит/с уже была официально анонсирована, но Samsung и SK Hynix стремятся разработать еще более быструю память. Компания Micron также участвует в гонке, объявив о своем намерении разработать память GDDR7 со скоростью 36 Гбит/с, которая ожидается на рынке не ранее 2026 года.
Samsung уже представила память GDDR6 с скоростью до 24 Гбит/с, что является рекордной скоростью для дискретных настольных графических процессоров. На данный момент лидером на рынке графических процессоров в этой категории является RTX 4080 SUPER с памятью скоростью 23 Гбит/с, подключенной к 256-битной шине памяти. Даже более производительный RTX 4090 использует память со скоростью 21 Гбит/с.
Однако скорости, указанные в программе ISSCC, маловероятно, будут немедленно применены в следующих поколениях графических процессоров, таких как RTX 50 или RX 8000 серии. Возможно, более подробные детали и временная шкала разработки будут обнародованы на конференции ISSCC.
Samsung также отметила, что память GDDR7 обещает повышение энергоэффективности на 20% по сравнению с GDDR6 и обеспечивает пропускную способность 1,5 ТБ/с, что в 1,4 раза быстрее, чем предлагаемые GDDR6 с пропускной способностью 1,1 ТБ/с. Однако на данный момент такие скорости не доступны в графических процессорах RTX 40 или видеокартах RX 7000, которые сейчас присутствуют на рынке.
Источник новости: www.playground.ru
