Samsung Electronics, сегодня объявил о разработке первой в отрасли 128-гигабайтной памяти DRAM с поддержкой Compute Express Link (CXL) 2.0, в сотрудничестве с Intel для их платформы Intel Xeon.
Внедрение Samsung 128-гигабайтной DRAM-памяти CXL DRAM на базе CXL 1.1, разработанной компанией в мае 2022 года, ускорит коммерциализацию решений для памяти следующего поколения. Новый CXL DRAM поддерживает интерфейс PCle 5.0 (x8 полос) и обеспечивает пропускную способность до 35 ГБ в секунду.
Впервые в истории CXL 2.0 поддерживает объединение памяти — метод управления памятью, который связывает несколько блоков памяти CXL на серверной платформе для формирования пула и позволяет хостам динамически выделять память из пула по мере необходимости. Новая технология позволяет заказчикам повысить эффективность при одновременном снижении эксплуатационных расходов, что, в свою очередь, поможет реинвестировать ресурсы в расширение объема серверной памяти.
Samsung планирует начать массовое производство CXL 2.0 DRAM в конце этого года и готова предоставить дополнительные предложения различной емкости для удовлетворения спроса на будущие вычислительные приложения.
CXL - это интерфейс следующего поколения, который повышает эффективность ускорителей, DRAM и устройств хранения данных, используемых с процессорами в высокопроизводительных серверных системах. Учитывая, что его пропускная способность и емкость могут быть увеличены при использовании с основным DRAM, ожидается, что развитие технологии вызовет волну на рынке вычислительной техники следующего поколения, где ключевые технологии, такие как искусственный интеллект (AI) и машинное обучение (ML), привели к быстрому росту спроса на высокоскоростную обработку данных.
Источник новости: www.playground.ru
