Во время выступления на отраслевой конференции ITF World 2023 в Бельгии генеральный директор Intel по развитию технологий Энн Келлехер раскрыла планы компании в отношении будущих транзисторных технологий.
Одним из основных моментов стало намерение Intel внедрить многослойные транзисторы CFETs (Complementary FETs). Хотя конкретные сроки их производства не были указаны, технология CFET была первоначально представлена исследовательским центром Imec в 2018 году.
Изображение транзистора CFET, представленное Intel, демонстрирует его конструкцию, которая включает восемь нанолистов. Это позволит увеличить плотность транзисторов. Однако внедрение транзисторов CFET не ожидается до тех пор, пока процесс производства чипов не достигнет уровня 5 Ангстрем, что, по прогнозам, произойдет примерно в 2032 году.
Источник новости: www.ferra.ru
