категории | RSS

Micron представила память UFS 4.0 на 232-слойной 3D NAND

Компания Micron Technology вчера официально объявила о начале поставок образцов для первых этапов тестирования новых чипов памяти Universal Flash Storage (UFS) 4.0, созданных на основе 232-слойной 3D NAND-памяти.

Пока что речь идёт о решении UFS 4.0 с объёмом до 1 терабайта, которое отправляется отдельным производителям смартфонов для тестирования в рамках определённых инженерных образцов. В будущем эта память, конечно же, будет представлена и меньшим объёмом памяти, когда решения будут готовы для запуска в коммерческих решениях.

Но уже сейчас можно заявить, что новейшее мобильное флэш-хранилище от Micron превосходит конкурентов по ряду важных показателей NAND-памяти, обеспечивая самую быструю скорость обмена информацией в отрасли для флагманских смартфонов.

Пока что точной информации о реальной скорости передачи данных нет, но, вероятно, вскоре производители смартфонов протестируют свои решения и тогда можно будет детально говорить о том, что умеет новый накопитель. Но, теоретически, это будущее мобильной индустрии, потому что новая память не только быстрее, но и гораздо более энергоэффективнее.



Источник новости: www.playground.ru

DimonVideo
2023-06-22T18:34:03Z

Здесь находятся
всего 0. За сутки здесь было 0 человек
Яндекс.Метрика