Samsung представит 280-слойную флэш-память 3D QLC NAND емкостью 1 Тб. Ожидается, что новая флэш-память повысит производительность и емкость твердотельных накопителей и смартфонов благодаря плотности записи в 28,5 Гбит/мм² и скорости передачи данных 3,2 ГБ/с. Это улучшение по сравнению с текущими флэш-памятью 3D NAND, используемой в ведущих твердотельных накопителях NVMe, у которой максимальная скорость передачи данных составляет 2,4 ГБ/с.
Кроме того, Samsung представит чип памяти DDR5 следующего поколения с потенциальной скоростью передачи данных DDR5-8000 и плотностью 32 Гбит, что эквивалентно 4 ГБ. Эта разработка позволяет производить одноранговые модули PC-DIMM емкостью 32 ГБ. Чип использует симметричную мозаичную архитектуру ячеек DRAM и производится с использованием технологического процесса Samsung 5-го поколения класса 10 нм, специально разработанного для продуктов DRAM.
Инновация DDR5 позволяет производить модули DIMM емкостью 32 ГБ и 48 ГБ со скоростью DDR5-8000 в одноранговых конфигурациях. Он также поддерживает модули DIMM емкостью 64 ГБ и 96 ГБ в двухранговых конфигурациях, при условии, что платформа может поддерживать DDR5-8000 в двухранговом режиме, что расширяет потенциал для решений высокой емкости и высокоскоростной памяти на вычислительных платформах.
Источник новости: www.playground.ru
