По информации корейских СМИ, Samsung планирует в ближайшем будущем запустить производство нового поколения памяти V-NAND, а именно 9-го поколения. В этом поколении ожидается представление памяти с 290 слоями, которая будет производиться с применением передовых технологий наложения слоев и электрических соединений между ними. На текущий момент производители предлагают решения с максимум 236 слоями. Выпуск V-NAND 9-го поколения позволит Samsung установить новый стандарт в индустрии. Появление такой памяти ожидается уже в следующем месяце.
Компания не собирается останавливаться на достигнутом. Уже ведется работа над 10-м поколением памяти V-NAND, в рамках которого Samsung стремится достичь 430 слоев . Однако ожидается, что данная память появится лишь в следующем году. Похоже, что индустрия памяти NAND вступила в горячую гонку за количество слоев, и пока Samsung уверенно обгоняет своих конкурентов SK Hynix и Kioxia.
Источник новости: www.playground.ru
