Как лидеру рынка в сегменте памяти компании Samsung не к лицу, что у Micron есть улучшенные чипы GDDR6X, а у Samsung только «обычные» GDDR6, пусть и высокочастотные. Южнокорейский чипмейкер исправил это недоразумение, и представил GDDR6W.
Грубо говоря, GDDR6W представляет собой нечто среднее между классической GDDR-памятью и многослойной HBM. Технология FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging) позволяет в рамках одной микросхемы разместить 4 DRAM-кристалла вместо пары. При этом физические габариты относительно GDDR6 не изменились, что позволит клиентам легко совершить переход. Что правда, прямая замена GDDR6 на GDDR6W не получится из-за разной контактной карты.
Такой подход обеспечил рост пропускной способности в 2 раза, а также рост ёмкости в 2 раза. Также уместно говорить о снижении общего потребления подсистемы памяти, но здесь без цифр.
По данным Samsung, 8 микросхем памяти GDDR6W общей ёмкостью 32 ГБ обеспечивают 1,4 ТБ/с пропускной способности, что не сильно меньше показателей четырёх стеков HBM2e (1,6 ТБ/с). Пропускная способность на контакт – 22 Гбит/с.
Источник новости: www.playground.ru
