Предвыборная гонка, как даёт понять Reuters, не мешает администрации президента Байдена раздавать субсидии на развитие национальной полупроводниковой отрасли США, в полном соответствии с принятым в 2022 году «Законом о чипах». В штате Нью-Йорк будет построен исследовательский центр, специализирующийся на вопросах литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV). Соответствующая технология нужна для выпуска чипов по передовым нормам тоньше 7 нм.
Источник изображения: Samsung Electronics
На строительство данного центра будет выделено $825 млн. Управлять работой данной площадки будет Национальный центр полупроводниковых технологий (NTSC). Если учесть, что в этой местности ещё со времён активной деятельности IBM ведутся профильные разработки, выбор штата Нью-Йорк в качестве региона строительства центра весьма оправдан.
Источник новости: overclockers.ru
