Группа китайских ученых из Пекинского университета, утверждают, что создали транзистор без кремния, используя тонкий лист выращенного в лаборатории висмута. По словам авторов проекта, их транзистор не только превосходит лучшие процессоры Intel и TSMC, но еще и энергоэффективнее.
Создание подробно описано в новом исследовании, опубликованном в Nature Materials, в котором объясняется архитектура чипа следующего поколения, которая может заменить традиционные кремниевые микропроцессоры, какими они есть. Новая конструкция включает двумерный материал, называемый оксиселенидом висмута, который, как объясняет исследование, не только тоньше и гибче кремния, но и обеспечивает более быстрое движение электронов вместе с большим контролем над электрическими токами. Согласно исследованию, новый транзистор способен полностью обернуть затвор вокруг каждой стороны источника, обеспечивая полное покрытие.
Примечательно, что традиционные конструкции транзисторов способны охватывать только три стороны источника, а поскольку новая конструкция способна обернуть затвор вокруг всего источника, потери энергии меньше, а контроль тока больше, что позволяет разработчикам добиться более быстрой и эффективной работы. Исследователи, стоящие за статьей, утверждают, что новый транзистор без кремния может быть на 40% быстрее, чем лучшие кремниевые чипы от таких компаний, как Intel, при этом потребляя на 10% меньше энергии.
Свойства оксиселенида висмута позволяют электронам двигаться быстрее, и ведущий исследователь Хайлин Пэн говорит:
В настоящее время транзистор без кремния все еще находится в стадии разработки и даже не близок к массовому производству, и исследователям сначала нужно проверить, можно ли его внедрить в массовое производство. Превращение лабораторных прорывов в коммерческие чипы обычно требует много времени – на это могут уйти несколько лет и даже десятилетий. Однако, если он окажется успешным, микропроцессорная промышленность, безусловно, будет потрясена.
Источник новости: www.playground.ru
