В сети появились признаки нового поколения микросхем памяти SK hynix DDR5, что, как сообщается, знаменует дебют второго поколения 3-гигабайтных микросхем A-die.
Микросхема, впервые показанная Кевином Ву (Kevin Wu) из Team Group, имеет маркировку X021 и код детали "AKBD".
Ожидаемые характеристики и биннинг
По словам инсайдеров, маркировка X021 идентифицирует эту микросхему как преемницу 3-гигабайтного M-die, который использовался в ранних модулях DDR5. Исходя из внутренней схемы биннинга SK hynix, обозначение "KB" в коде AKBD соответствует родной скорости JEDEC 7200 МТ/с. Это свидетельствует о том, что SK hynix готовит более быстрые микросхемы DDR5, ориентированные на платформы Intel следующего поколения, такие как Panther Lake и Arrow Lake Refresh, которые, как ожидается, будут поддерживать DDR5-7200.
Конструкционные аспекты
Показанный образец, как сообщается, использует 8-слойную печатную плату. Эта конфигурация может ограничивать запас для экстремального разгона свыше 8000 МТ/с. Ожидается, что для полного использования потенциала новой A-die производители модулей памяти перейдут на 10- или 12-слойные печатные платы для обеспечения лучшей целостности сигнала.
Хотя SK hynix еще официально не представила эту деталь, раннее появление 3-гигабайтной микросхемы A-die AKBD намекает на то, что производство, возможно, уже началось.
Справочная информация
Во времена DDR4 Samsung доминировала на рынке, и высококачественные модули памяти часто имели тщательно отобранные микросхемы B-die. Однако в мире DDR5 ситуация изменилась, и SK hynix вышла на первое место со своими микросхемами A-die и M-die, которые стали очень популярными среди энтузиастов.
Павлик Александр
Источник новости: ru.gecid.com
