Китайская академия наук сообщила о создании транзисторов с круговым затвором (GAA). Эта архитектура считается более совершенной, чем используемые сейчас FinFET, и обычно применяется для чипов 3 нанометра и меньше. Главная особенность новой разработки в том, что она позволяет добиться такого уровня производительности на оборудовании для DUV-литографии, которое Китай может закупать в обход экспортных ограничений. Изображение: WCCFTech Обычные FinFET-транзисторы имеют ребристую форму, а GAA-транзисторы охватывают канал со всех сторон, что дает лучший контроль над током и снижает утечки. Китайские специалисты заявляют, что их транзисторы демонстрируют соотношение токов включения и выключения выше 500 000. Это означает, что в открытом состоянии через них проходит в 500 000 раз больше тока, чем в закрытом. Такой показатель говорит об очень высокой электрической эффективности. Проблема в том, что DUV-литография не позволяет напрямую печатать схемы уровня 3 нм. Обычно для этого требуется EUV-оборудование, доступ к которому Китаю закрыт. Китайские производители используют многократное экспонирование и иммерсионную литографию, чтобы достичь 7-нм уровня. Новая разработка позволяет сделать следующий шаг. Улучшенные транзисторы дают возможность увеличить расстояние между элементами, не теряя в производительности. Это, в свою очередь, позволяет уменьшить высоту логических ячеек. В результате плотность размещения транзисторов может достичь примерно 137,8 миллиона на квадратный миллиметр, что соответствует уровню 5-нм чипов от TSMC. Тем не менее, есть ограничение. Процесс создания межсоединений (MEOL) и нижнего слоя металлизации (BEOL) остается сложным и не выигрывает от улучшения самих транзисторов. Именно эти этапы не позволяют выйти на полноценный 3-нм уровень. Поэтому, несмотря на заявленный потенциал, реальный результат ограничивается эквивалентом 5 нм. Это все равно значительное достижение для Китая в условиях санкций.
Источник новости: overclockers.ru
