Samsung в среду объявила о массовом производстве первых в мире чипов памяти GDDR7 следующего поколения, а Райан Смит из AnandTech получил от компании несколько технических подробностей. Судя по всему, первая производственная версия памяти GDDR7 компании построена на том же узле кремниевого D1z, что и чип памяти GDDR6 24 Гбит/с — самый быстрый чип GDDR6 в производстве. D1z — это литейный узел класса 10 нм, в котором используется литография EUV.
Смит также получил некоторые электрические характеристики. Чип памяти GDDR7 первого поколения обеспечивает скорость передачи данных 32 Гбит/с при напряжении DRAM 1,2 В по сравнению с 1,35 В, с которым работают некоторые высокоскоростные чипы GDDR6. В то время как pJpb (пикоджоули на бит) на 7% выше, чем у текущего поколения в абсолютном выражении, для предлагаемой скорости передачи данных 32 Гбит/с она на 20% ниже по сравнению с чипом GDDR6 24 Гбит/с. Проще говоря, GDDR7 на 20% более энергоэффективна. Смит отмечает, что этот выигрыш в энергоэффективности является чисто архитектурным и не является следствием каких-либо усовершенствований узла D1z. GDDR7 использует схему сигналов PAM3 по сравнению со схемой сигналов NRZ обычной для GDDR6 и сигналов PAM4 стандарта GDDR6X, отличных от JEDEC, который NVIDIA разработал совместно с Micron Technology.
Паровышник Валерий
Источник новости: ru.gecid.com
