Хотя на заре существования памяти типа HBM компания AMD охотно использовала её в своих флагманских игровых видеокартах, этот компонент прижился только в ускорителях вычислений, где оправдывал свою высокую стоимость адекватным быстродействием. Как поясняет Business Korea, в следующем году компания SK hynix готова будет поделиться результатами своих экспериментов по использованию новой для отрасли по выпуску микросхем памяти компоновки «2.5 Fan-out», которая может найти применение при выпуске GDDR для видеокарт новых поколений.
Источник изображения: SK hynix
Технологически такая компоновка подразумевает соединение двух микросхем памяти одной из граней для повышения пропускной способности интерфейса. Поскольку интеграция происходит в одной плоскости, то высота микросхем почти не увеличивается. Такой метод интеграции является более дешёвой альтернативой HBM с её вертикальным объединением до восьми микросхем памяти. Методику «2.5D Fan-out» компания TSMC начала применять ещё в 2016 году, а Samsung взяла её на вооружение в этом квартале, но до этого речь шла об объединении разнородных чипов, а не идентичных микросхем памяти.
Источник новости: overclockers.ru
