Совсем скоро, 18 февраля 2024 года, пройдёт технологическая конференция под названием IEEE Solid State Circuit Conference, в рамках которой ведущие производители электроники со всего мира представят свои необычные решения и продукты. Компания SK Hynix тоже будет принимать участие в мероприятии, но самые интересные новинки гигант рынка памяти анонсировал уже сейчас — представители бренда отметили, что на выставке компания продемонстрирует передовые технологии в области энергоэффективной памяти, которая разрабатывается сразу для нескольких направлений. Например, SK Hynix анонсировала чипы памяти GDDR7, которые также разработала Samsung.
Новые чипы памяти от GDDR7 будут работать на скорости в 35,4 Гбит/сек (у Samsung заявлена скорость в 37 Гбит/сек) при той же плотности, что и у южнокорейского конкурента. В компании заявили, что благодаря плотности в 16 Гбит производитель может выпускать 16 ГБ встроенной видеопамяти по 256-битной шине, что, теоретически, позволяет существенно повысить общую пропускную способность видеокарт нового поколения. При этом в SK Hynix сообщили, что не все видеокарты будут работать при максимальной скорости памяти — некоторые модели могут работать на чипах памяти с более низкой скоростью, и готовые решения для этого у производителя тоже имеются.
Для повышения энергоэффективности новой памяти производитель использует собственную архитектуру и технологию PAM3, хотя пока что детальных тестов и данных про потребление энергии нет. Также представители компании заявили, что хотя GDDR7 будет доминировать в сегменте игровых и профессиональных видеокарт, в области ИИ-вычислений основным источником памяти всё равно будут выступать чипы HBM3E. И это направление компания тоже улучшила — производитель представил новый дизайн стека памяти HBM3E на 16 слоёв с объёмом 48 ГБ (384 Гбит) и максимальной пропускной способностью в 1 280 ГБ/сек. Система, которую оснастят четырьмя такими стеками памяти, получит 198 ГБ память с пропускной способностью до 5,12 ТБ/сек.
Впрочем, не забыли в SK Hynix и про мобильный сегмент — компания официально анонсировала новый стандарт мобильной памяти LPDDR5T, который в будущем будет реализован в смартфонах, планшетах и ноутбуках. Данные чипы памяти способны передавать информацию на скорости до 10,5 Гбит/сек на один контакт с напряжением 1,05 В. Достичь такой высокой скорости передачи данных при столь экономичном расходе энергии удалось благодаря фирменным технологиям компании SK Hynix. Но, к сожалению, точных дат поступления вышеуказанных новинок в серийное производство пока что никто не раскрывает.
Источник новости: trashbox.ru
