Южнокорейское издание ET News утверждает, что компания SK hynix приступила к разработке 400-слойных микросхем памяти типа 3D NAND, которые за счёт использования новой технологии упаковки можно будет получать методом сращивания дух кремниевых пластин. Он придёт на замену компоновки PUC, которая используется компанией сейчас при производстве микросхем 3D NAND.
Источник изображения: SK hynix
Всю инфраструктуру к выпуску 400-слойной памяти 3D NAND корейская компания планирует в сотрудничестве с партнёрами подготовить к концу следующего года, и уже в 2026 году приступить к массовому производству такой памяти. Конкурирующая Samsung тоже собирается наладить выпуск 400-слойной памяти 3D NAND, а японская Kioxia вообще утверждает, что сможет к 2027 году увеличить количество слоёв такой памяти до 1000 штук. Правда, это может быть не совсем целесообразно экономически, как признают в компании. Samsung данный рубеж планирует покорить только к концу десятилетия.
Источник новости: overclockers.ru
