Инженеры MIT разработали способ создания 3D-чипов для ИИ

Инженеры Массачусетского технологического института (MIT) разработали метод создания многослойных чипов, которые могут значительно повысить производительность вычислительных устройств, включая технологии для искусственного интеллекта (ИИ). Вместо того, чтобы увеличивать количество транзисторов на поверхности чипа, ученые предложили их многослойное расположение, что позволит чипам обрабатывать гораздо больше данных.

Основной проблемой при создании таких чипов была необходимость использования громоздких кремниевых пластин в качестве основы, что замедляло передачу данных между слоями. Однако инженеры MIT нашли решение этой проблемы, создав технологию, которая позволяет вырастить несколько слоев полупроводниковых материалов без использования кремниевых подложек, что ускоряет обработку данных.

Метод, описанный в журнале Nature, позволяет строить высококачественные транзисторы и элементы памяти прямо друг на друге, не используя традиционные кремниевые пластины. Это обеспечит более быстрый и эффективный обмен данными между слоями чипа, что важно для задач ИИ.

Команда инженеров использовала новый метод для создания чипа с несколькими слоями материалов, что могло бы позволить создавать устройства, обладающие мощностью современных суперкомпьютеров, но в компактных формах для таких устройств, как ноутбуки и носимые гаджеты.