AMD планирует разработать следующее поколение матриц CCD, реализующее микроархитектуру Zen 6, используя узел процесса TSMC N3E 3 нм.
Эта разработка последовала за обсуждениями на технических форумах о стратегической дорожной карте AMD. Ожидается, что новый Zen 6 CCD будет использовать преимущества узла TSMC N3E, который обеспечивает 20%-ное увеличение скорости, более чем 30%-ное снижение энергопотребления и примерно 60%-ное увеличение логической плотности по сравнению с существующим TSMC N5.
Узел N3E использует методы двойного шаблона экстремального ультрафиолета (EUV) для достижения этих улучшений. Параллельно, по слухам, AMD обновит свои кристаллы ввода-вывода, построив их на 4-нм узле, вероятно, с использованием технологии TSMC N4C. Переход с 6-нм на 4-нм узел для кристалла ввода-вывода обеспечивает более высокую производительность и более продвинутые функции в будущих процессорах.
Новое поколение кристаллов ввода-вывода на узле 4 нм, вероятно, будет включать обновленный интегрированный графический процессор на основе новой графической архитектуры, такой как RDNA 3.5. Это обновление предполагает потенциальное улучшение графической производительности для клиентских устройств. Кроме того, переход на 4 нм процесс может позволить включить нейронный процессор (NPU) в настольные процессоры AMD.
Более высокие скорости памяти также могут поддерживаться благодаря обновленному контроллеру памяти DDR5, который будет использовать преимущества улучшений, предлагаемых CUDIMM. Хотя никаких серьезных изменений в PCI Express не ожидается, AMD, вероятно, продолжит использовать платформу Socket AM5, предоставляя 28 линий PCIe Gen 5 в качестве стандарта.
Другим возможным обновлением является реализация интерфейса USB4 на процессоре благодаря хост-контроллеру на кристалле. Для серверной стороны следующее поколение sIOD может поддерживать более высокие скорости памяти DDR5 благодаря улучшенным драйверам тактовой частоты, способствуя повышению общей производительности системы.
Источник новости: www.playground.ru
