Полупроводниковая промышленность активно ускоряет разработку нового стандарта памяти – DDR6, который, по прогнозам, станет доступным для потребителей в 2027 году.
Ведущие производители, такие как Samsung, Micron и SK Hynix, уже перешли от прототипирования к этапам тщательной проверки, работая в партнёрстве с Intel, AMD и NVIDIA.
Значительный прирост производительности и архитектурные изменения
Начальная пропускная способность DDR6 составит 8800 МТ/с, с планами масштабирования до впечатляющих 17600 МТ/с. Это почти вдвое превышает максимальную скорость современной памяти DDR5. Увеличение производительности достигается благодаря новой архитектуре DDR6 с четырьмя 24-битными подканалами, которая требует абсолютно новых методов для стабильности сигнала. Эта архитектура также отличается от текущей двухканальной 32-битной структуры DDR5.
Чтобы преодолеть физические ограничения, с которыми сталкиваются форм-факторы DIMM на более высоких скоростях, отрасль активно внедряет стандарт CAMM2. Ожидается, что серверные платформы первыми получат эту технологию, а затем её подхватят высокопроизводительные ноутбуки.
Этапы внедрения и рыночные перспективы
Валидация платформ с DDR6 запланирована на 2026 год, развёртывание на серверах – на 2027 год, после чего последует более широкая доступность для потребителей. Этот поэтапный путь напоминает внедрение DDR5, однако аналитики прогнозируют, что архитектурный скачок DDR6 может ускорить её адаптацию, особенно в средах искусственного интеллекта (ИИ) и высокопроизводительных вычислений (HPC).
Первоначальные модули DDR6, вероятно, будут иметь высокие цены, подобные ценам на DDR5 во время её дебюта в 2021 году. Это может ограничить раннее внедрение масштабными центрами обработки данных и исследовательскими лабораториями ИИ. Однако, учитывая растущий спрос ИИ и HPC на пропускную способность памяти, производители стремятся ускорить выпуск DDR6 для удовлетворения потребностей массовых вычислений. К 2027 году модули на базе CAMM2, работающие на скорости DDR6, вполне могут установить новый стандарт для высокопроизводительных систем.
Павлик Олександр
Источник новости: ru.gecid.com
