На мероприятии Hot Chips 2026 представитель Samsung Санвук Хан (Sangwook Han) раскрыл новые подробности о разработке перспективной памяти стандартов HBM4 и HBM4E. Южнокорейский гигант готовится поставлять микросхемы HBM4E со скоростью передачи данных до 16 Гбит/с на один контакт. Автор изображения: Samsung Текущие версии HBM4E выдают 14 Гбит/с, а базовая HBM4 ограничивается отметкой в 11,7 Гбит/с. Переход на 16 Гбит/с при шине в 2048 бит поднимет пропускную способность одного стека с 3,6 до 4 ТБ/с. В составе чипов для систем искусственного интеллекта, где используется по десятку таких блоков, суммарная скорость вырастет еще сильнее. Автор изображения: Samsung Чипы штампуют по 10-нанометровому процессу DRAM шестого поколения. При этом ключевой базовый кристалл (base die) выпекают по 4-нанометровой технологии Samsung SF4 для удобства гибкой интеграции под нужды заказчиков. Память выйдет в конфигурациях на 8, 12 и 16 слоев объемом от 32 до 64 ГБ на один стек.
Источник новости: overclockers.ru
