категории | RSS

SK Hynix планирует запустить производство памяти HBM4E на заводе в американском штате Индиана в III квартале 2029 года, сообщает Bloomberg. По прогнозу компании, нехватка этой памяти на рынке продолжится как минимум до конца 2030 года.

High Bandwidth Memory (HBM) — это специализированная стековая память с очень высокой пропускной способностью, ставшая ключевым компонентом ИИ-ускорителей. В таких чипах память и вычислительный модуль объединяются в одном корпусе, что резко снижает задержки и ускоряет передачу данных. HBM4E представляет собой следующее поколение стандарта с еще более высокими характеристиками.

Завод расположится в исследовательском парке Purdue Research Park в Уэст-Лафайетте. Запуск чистых комнат — специализированных помещений для производства микрочипов — запланирован на вторую половину 2028 года. На объекте разместятся линия по передовой упаковке HBM-чипов и исследовательский центр в сфере ИИ-полупроводников. Суммарные инвестиции в проект превышают 4 млрд долларов, а проектная мощность составит сотни тысяч пластин в год. Реализация проекта создаст около 7000 прямых и косвенных рабочих мест.

Государство поддерживает проект финансово. В декабре 2024 года США окончательно одобрили выделение SK Hynix 458 млн долларов в виде субсидий по закону CHIPS Act, а также льготных займов на сумму до 500 млн долларов.

SK Hynix занимает лидирующую позицию на мировом рынке HBM: в I квартале 2026 года ее доля по выручке составляла 58%. Samsung и Micron делили оставшуюся часть рынка поровну — по 21% каждый. Спрос на HBM резко вырос вслед за распространением нейросетей: ИИ-ускорители потребляют ее в огромных количествах. Завод в Индиане вписывается в стратегию компании по созданию цепочки поставок на американской территории. Глава SK Hynix Квак Но-Чжун говорил о намерении выстроить в Соединенных Штатах передовую цепочку поставок памяти. Ключевыми потребителями HBM выступают Nvidia, Microsoft и Google.

Ранее мы рассказывали о коллективном иске против Samsung, SK Hynix и Micron в США: покупатели оперативной памяти DRAM обвиняют компании в намеренном сокращении выпуска стандартных модулей ради высокомаржинального HBM.




Источник новости: hi-tech.mail.ru

Bot
2026-09-03T02:25:02Z

Здесь находятся
всего 0. За сутки здесь было 0 человек