Китайский производитель микросхем памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) объявил о запуске массового производства новой технологической платформы для DRAM, которая позволяет производить как минимум на 50% больше кристаллов на одной пластине. Речь идёт о платформе пятого поколения, которая ориентирована на выпуск более производительных и энергоэффективных чипов.Источник изображения: Reuters URL изображенияНовая технология позволяет одновременно снизить себестоимость производства и увеличить плотность хранения данных, что делает её конкурентоспособной на фоне продукции мировых лидеров отрасли. Ключевой особенностью новой платформы стало применение технологии так называемого «четверного паттернинга» (quadruple patterning), которая позволила сократить расстояние между элементами памяти до 11,95 нанометра. Это обеспечивает более высокую плотность размещения данных на кристалле и увеличивает количество чипов, производимых на одной кремниевой пластине. В результате CXMT заявляет о росте выхода годных кристаллов как минимум на 50% по сравнению с предыдущим поколением технологий. Помимо этого, компания представила новые 24-гигабитные чипы стандарта LPDDR5X, способные хранить на 50% больше данных, чем предыдущие модели, и предназначенные для использования в смартфонах и других портативных устройствах. Разработка велась с использованием локальных инженерных решений и при участии китайских производителей оборудования, что отражает стратегию страны по снижению зависимости от иностранных технологий. При этом Китай по-прежнему отстаёт от азиатских и американских производителей в технологическом плане.
Источник новости: overclockers.ru
