Компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), ведущий китайский производитель микросхем памяти DRAM, заявила о начале массового производства своей технологической платформы пятого поколения. По утверждению компании, это событие является прорывом, который может помочь Китаю создать более сильного конкурента для продукции южнокорейских компаний Samsung Electronics и SK Hynix, а также американской Micron Technology, на мировом рынке микросхем памяти. Завод CXMT на окраине Пекина. Фото: Pedro Pardo/AFP/Getty Images DRAM (динамическая оперативная память) – это рабочая память, которую используется в смартфонах, компьютерах и других устройствах для запуска приложений и программ. Новая платформа предназначена для производства более производительных чипов памяти с меньшими затратами и пониженным энергопотреблением. Компания CXMT, вышедшая в этом году на шанхайскую площадку STAR Market, заявила, что обеспечит производителям потребительской электроники дополнительный источник поставок чипов, используемых в смартфонах и прочих устройствах. Согласно информации CXMT, новая платформа позволяет плотнее размещать миниатюрные структуры для хранения данных. Это даёт возможность увеличить объём памяти на каждом чипе и получить больше чипов из одной кремниевой пластины. Производитель микросхем памяти заявил, что ему удалось уменьшить расстояние между ключевыми элементами в той части микросхемы, которая хранит данные, до 11,95 нанометров, или примерно 12 миллиардных долей метра. Этого удалось достичь благодаря применению технологии «четверного структурирования» (quadruple patterning). В этом процессе ряд производственных операций повторяется для формирования более тонких рисунков схем. Ло Сяодун, вице-президент и глава маркетингового центра CXMT, на Всемирной конференции производителей 2026 года в Хэфэе заявил, что технологического процесса компании теперь сопоставимы с показателями самых передовых решений, которые применяются в отрасли для массового производства. Согласно информации агентства Reuters, компания CXMT также представила два продукта на базе 24-гигабитной памяти LPDDR5X, созданных на новой платформе. LPDDR5X – это энергосберегающий тип DRAM, который используется в основном в смартфонах и другой портативной электронике. По сообщению производителя, эти продукты вмещают на 50% больше данных по сравнению с предыдущими аналогичными решениями CXMT и уже запущены в серийное производство. Они предлагаются в двух вариантах корпусного исполнения, рассчитанных на различные конструкции смартфонов и портативных устройств. В CXMT заявили, что новая платформа позволяет получать как минимум на 50% больше годных кристаллов с одной пластины по сравнению с платформой четвертого поколения (при расчёте на основе 8-гигабитных чипов). Этот показатель измеряет потенциальное количество микросхем, изготовленных из кремниевой пластины до исключения дефектных образцов, а не долю тех, которые проходят окончательное тестирование. Производитель памяти сообщил, что при разработке новой платформы использовалось компьютерное моделирование. Кроме того, появление платформы стало возможным благодаря совместной работе с китайскими производителями оборудования для производства микросхем над ключевыми этапами технологического процесса. Этот прогресс был достигнут на фоне стремления официального Пекина снизить зависимость от зарубежных полупроводниковых технологий, а также на введенные с 2022 года ограничения США, которые ограничили доступ Китая к определённым видам передового оборудования ПО.
Источник новости: overclockers.ru
