Южнокорейская компания Samsung Electronics представила предварительный обзор своего самого передового оборудования для обработки данных, подчеркнув его улучшенную производительность и энергоэффективность. Цель презентации — укрепить позиции компании на рынке и опередить конкурентов, таких как SK Hynix и Micron, в долгосрочной перспективе. Об этом сообщает Bloomberg. Компания Samsung представила первые в отрасли концептуальные модели модулей памяти zHBM и zNAND-O. Фото: Samsung В заявлении Samsung указано, что в новой системе высокоскоростная память размещается вертикально поверх ускорителей искусственного интеллекта (ИИ), обеспечивая примерно в восемь раз большую производительность, чем HBM5 следующего поколения. Благодаря использованию передовой технологии склеивания пластин, система также обеспечит более чем в 10 раз большую плотность памяти, чем HBM5, и позволит создавать индивидуальные решения. Samsung собирается нарастить производство HBM4 во второй половине этого года. Однако компания пока не стала называть точных сроков запуска для HBM5 или для новой перспективной технологии. Bloomberg отмечает, что технологический прорыв Samsung происходит на фоне жёсткой конкуренции на рынке памяти, объем которого оценивается приблизительно в один триллион долларов. Samsung ведёт борьбу с SK Hynix, которой удалось раньше закрепиться на рынке памяти для ИИ, а также с американской компанией Micron. Внедрение архитектуры следующего поколения раньше конкурентов является для Samsung жизненно важным в обеспечении заказов от клиентов, поскольку крупные мировые производители памяти стремятся заключить выгодные контракты с центрами обработки данных и нарастить объёмы производства. Новая система zHBM свидетельствует о стремлении компании позиционировать себя как комплексного поставщика инфраструктуры для эпохи ИИ. Производитель также представил zNAND-O, решение NAND следующего поколения, построенное на основе технологии V-NAND. Согласно заявлению компании, оно лучше поддерживает требовательные к большим объёмам данных приложения ИИ, работающие в режиме реального времени. Samsung также представила первую в отрасли архитектуру V10 B-NAND, которая отличается новой архитектурой склеивания пластин и насчитывает более 400 слоев. Такая технология увеличивает плотность хранения данных почти на 60% по сравнению с предыдущим поколением при одновременном улучшении скорости чтения и записи. Наряду с этим видением аппаратного обеспечения, Samsung также продемонстрировала дорожную карту продуктов, включающую процессоры следующего поколения, работающие в оперативной памяти, и высокопроизводительные решения для хранения данных корпоративных клиентов.
Источник новости: overclockers.ru
