SK hynix активно переводит свои фабрики на новейший техпроцесс 1c DRAM.
Благодаря быстрым темпам модернизации уже до конца года доля новой памяти в производстве превысит треть. Это позволит обогнать главных конкурентов в лице Samsung и Micron, которые на данный момент удерживают лидерство по объемам выпуска этого поколения.
Новая технология обеспечивает более высокую плотность и улучшенную энергоэффективность. Она станет основой для выпуска оперативной памяти следующего поколения, включая HBM4E для систем искусственного интеллекта, а также LPDDR6 и DDR5.
В будущем, из-за физических ограничений классических микросхем, планируется переход на вертикальные транзисторы и объемную компоновку 3D DRAM.
Источник новости: ru.gecid.com
