Следующее поколение памяти Micron под названием 1δ выйдет во второй половине 2027 года. Оно даст примерно на 25% больше плотности, чем нынешнее, и будет производиться в США. Дальше компания продолжит уменьшать ячейки по проверенной схеме 6F² — от 4F² она отказалась, посчитав, что у той нет рабочего пути развития. Со временем Micron перейдёт к трёхмерной памяти, как уже сделано во флеш-памяти. Изображение: wccftech.com DDR6 будет вдвое быстрее DDR5 и станет памятью для серверов. LPDDR6 окажется примерно на 35% экономичнее предыдущего поколения и пригодится как в телефонах, так и в дата-центрах. Кроме того, Micron готовит модуль памяти ёмкостью 1 ТБ — самый большой в отрасли. Здесь Micron пойдёт в трёх направлениях: обычные модули, заказные и вертикальные. Вертикальная HBM будет ставиться прямо на вычислительный чип. Так данные идут до процессора кратчайшим путём. Это даст больше скорости на ватт и больше «токенов на ватт». Первые такие решения ожидаются около 2028 года, а к 2030-му появится улучшенная версия. Сейчас развивается G9, а на смену ей готовится G11 с более чем 400 слоями. Она выйдет во второй половине 2027 года и даст примерно вдвое больше плотности, чем G9, до 1,5 раза выше скорость и более 25% экономии энергии при передаче данных. Micron уже работает над внедрением LPDDR6 в будущих дата-центрах и над системами ёмкостью более 1,1 эксабайта в одной стойке. Компания также вкладывает деньги в исследования: 550 млн долларов в Micron Ventures и 10 млрд долларов в Micron Research Labs на десять лет.
Источник новости: overclockers.ru
