Компания Samsung сегодня объявила о начале массового выпуска чипов NAND-памяти 8-го поколения. Они относятся к «200-слойному» классу, предположительно насчитывают 236 слоёв.
Новинки обеспечивают скорость передачи данных до 2400 МТ/с (мегатранзакций в секунду) и характеризуются ёмкостью 1 ТБ на чип. По словам Samsung, это рекордная для отрасли плотность.
Данные микросхемы будут использоваться в накопителях с интерфейсом PCI-E 5.0. В сочетании с достаточно быстрым контроллером они смогут обеспечить более 12 ГБ/с пропускной способности в обе стороны в SSD потребительского класса.
Кроме того, в теории накопители с этой памятью будут ещё и дешевле актуальных моделей. Себестоимость производства в пересчёте на гигабайт меньше на 20%. Но это лишь в теории, практика обычно в обратную сторону.
Между тем, вторичные игроки рынка SSD-накопителей пусть и поверхностно, но по чуть-чуть рассказывают про модели с интерфейсом PCI-E 5.0. Samsung, как один из лидеров индустрии, делится деталями очень неохотно.
Источник новости: www.playground.ru
